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光刻胶系列-化学放大型抗蚀剂及其首要概念

2022-02-05 01:14分类:8块鸭肠 阅读:

为了挑高聚相符物图像的分辨率,曝光波长越短越益。365nm是最常见的波长,193nm或更短的紫表光也有运用。在那些界限里,传统的光聚相符物如萘醌类不及操纵,由于聚相符物链在短波长区的强汲取。化学放大抗蚀剂是有效的解决方案,其构成包括基本的聚相符物和光酸生成剂。

经由过程引入化学放大的概念,已足了对敏感性的请求。这是基于光化学逆答产生的酸催化物栽,催化了抗蚀膜串联化学转逆答。这个概念在平版印刷界得到了深远的认可,不但由于它的高伶俐度,而且由于它的高对比度,出乎料想的高分辨率和设计的众功能性。设置在此概念之上的整个抗蚀剂家族,由于其酸催化脱钦慕机制来实现极性翻转形象已经吸引了极大的关注,由于它挑供了一个设计水基体系的不妨性,替换经典的重氮萘醌酚醛体系。

固然化学放大光刻胶体系具有很众吸引人的特点,如高伶俐度、高对比度、高分辨率、和通用性,但在这栽酸催化的过程,极易受到空气中清淡物质的混浊。混浊导致一系列技术题目。抗蚀剂的化学放大抗蚀剂的过程如图所示。该抗蚀剂溶液涂覆在硅晶片上,进走涂层预烤。接下来准分子激光下进走曝光。这个预烤和曝光之间的时间隔断称为间休1.然后曝光的抗蚀剂再经由过程曝光后烘烤(PEB,或强硬烘烤)。曝光和PEB之间的时间为间休2.硅晶片在碱溶液(四甲基氢氧化铵)中显影。

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